بررسی تأثیر پرتو UV-C بر میزان رشد کپک های آبی و خاکستری سیب
عنوان دوره: بیست و دومین کنگره گیاهپزشکی ایران
نویسندگان
چکیده
قارچ ها از مهمترین عوامل بیمار‌یزای بعد از برداشت سیب می باشند. بررسی‌هایی که در ایران درباره شناسایی بیماریهای قارچی پس از برداشت سیب و مخصوصاً در انبار و سردخانه به عمل آمده است، نشان می‌دهند که حداقل 14 گونه‌ی قارچی می‌توانند عامل بیماریهای کپک آبی و خاکستری باشند. و در بین آن ها، دو گونه‌ی Penicillium expansum (عامل بیماری کپک آبی سیب) وBotrytis cinerea (عامل بیماری کپک خاکستری) از عوامل اصلی ایجاد کننده‌ی خسارت در میوه‌ی سیب هستند که باعث ایجاد خسارت بالایی در انبار می‌شوند. پرتو‌تابی UV-C روش نسبتاً جدیدی است که با قرار دادن میوه‌ها در برابر مقدار پایین نور فرابنفش، اثرهای مثبت زیستی آن از قبیل مقاومت به پوسیدگی و افزایش طول عمر محصولات انباری انگیخته می‌گردد. با پیشرفت و توسعه تجهیزات مورد نیاز برای پرتو‌تابی با مقدار پایین روی میوه‌های برداشت شده، امروزه این روش جایگزین تجاری مناسبی برای قارچ‌کش‌های شیمیایی جهت تیمار میوه‌ها به منظور کنترل پوسیدگی پس از برداشت شده است. در مطالعه‌ی حاضر، اثر پرتو فرابنفش- سی بر میزان رشد جدایه‌های IR12 و Bot3 قارچ B. cinerea و جدایه‌های P482 و A7 قارچ P. expansum مورد ارزیابی قرار گرفت. آزمایشات در قالب طرح کاملا تصادفی با هشت تیمار و چهار تکرار انجام شد. بدین منظور، ابتدا پلاگ هایی از قارچ عامل بیماری به قطر پنج میلی‌متر به طور جداگانه در مرکز تشتک‌های پتری حاوی محیط کشت PDA قرار داده و تشتک‌های پتری به مدت 48 ساعت در انکوباتور با دمای 1±25 درجه‌ی سلسیوس قرار گرفتند. پس از اندازه گیری قطر پرگنه‌های قارچ عامل بیماری به وسیله‌ی دستگاه کولیس دیجیتالی، نمونه‌ها به طور مجزا در مدت زمان‌های 2، 4، 6، 8، 15، 30، 60 و 120 دقیقه در شرایط سترون در معرض پرتو UV-C (با طول موج 254 نانومتر) و به فاصله‌ی 20 سانتی‌متر از منبع نور قرار داده شدند. اندازه‌گیری مجدد قطر پرگنه‌ی جدایه‌های قارچ Botrytis پس از دو روز و جدایه‌های قارچ Penicillium پس از 15 روز انجام گرفت. در نهایت اثر پرتو UV-C در بازدارندگی از رشد پرگنه‌ی هر قارچ محاسبه گردید. همچنین در تیمارهای شاهد، قارچ عامل بیماری در معرض پرتو قرار نگرفت. نتایج تحقیق حاضر نشان داد، که بیشترین درصد بازدارندگی از رشد برای جدایه‌های Bot3 و IR12 بوتریتیس در زمان هشت دقیقه و به ترتیب به میزان 33/59 و 55/54 درصد و برای جدایه‌های P482 و A7 پنیسیلیوم در زمان 30 دقیقه و به ترتیب به میزان 50/12 و 64/9 درصد توسط پرتو UV-C صورت گرفته است.
کلیدواژه ها